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1 A Single Step Lapping and Polishing Process for Achieving Surfaces of Compound Semiconductors with Atomic Flatness using a Sub-micron Agglomerate-free Alumina Slurry [科技报告]

作者:Dutta, P.S.;Rajagopalan, G.;Gutmann, J.J.;等

发布日期:2002

关键词:Removal;Surface Cleaning;...

发布机构:Lockheed Martin

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2 Self-Organized Superlattices in GaInAsSb Grown on Vicinal Substrates [科技报告]

作者:Wang, C.A., Vineis, C.J., Calawa, D.R.

发布日期:2003

关键词:Alloys;Superlattices;...

发布机构:Lockheed Martin

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3 The Status of Thermophotovoltaic Energy Conversion Technology at Lockheed Martin Corp. [科技报告]

作者:Brown, E.J.;Baldasaro, P.F.;Burger, S.R.;等

发布日期:2003

关键词:Absorption;Energy Conversion;...

发布机构:Lockheed Martin

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4 Progress and Continuing Challenges in GaSb-based III-V Alloys and Heterostructures Grown by Organometallic Vapor Phase Epitaxy [科技报告]

作者:Wang, CA

发布日期:2004

关键词:42 Engineering;Alloys;...

发布机构:Lockheed Martin

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5 Lattice-Matched GaInAsSb/A1GaAsSb/GaSb Materials for Thermophotovoltaic Devices [科技报告]

作者:Wang, C.A.;Vineis, C.J.;Choi, H.K.;等

发布日期:2002

关键词:Quantum Efficiency;Carrier Lifetime;...

发布机构:Lockheed Martin

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6 TPV Network Sensitivity: A Simulation Study [科技报告]

作者:Vell, J.L.;Oppenlander, J.E.;Gaes, W.S.;等

发布日期:2004

关键词:42 Engineering;Simulation;...

发布机构:Lockheed Martin

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